但是这些研究都是通过物质层面，通过改变晶体管材料，来实现优化MOSFET晶体管的目的。
迟迟没有从数学模型层面出发，很好优化胡正明的MOSFET模型的结果。
要知道此时离1985年过去了十三年。
远在旧金山湾区的胡正明教授，每天早上和往常一样，先查阅一遍自己的邮箱。
电子邮箱已经有十来年的历史，这十来年里，受益于电子邮箱，来自世界各地的科学家们交流变得更加频繁。
对于胡正明来说，每天到办公室的第一件事，也从查收纸质邮件，变成了查收电子邮件。
一封名为MOSFET模型优化的邮件，很快吸引了他的注意。
毕竟作为该模型的创造者，胡正明本人也希望能够进一步优化它。
可惜不管是他本人，还是其他科学家，都没有谁能够从数学模型的角度，对MOSFET进行优化。
“......这种临界能量和观察到的时间依赖性可以用涉及=SisH键断裂的物理模型来解释。器件寿命与I-2sub9I1d9ΔV15t成正比。如果由于L小或Vd大等原因导致Isub变大，则τ会变小。因此，Isub（可能还有光发射）是τ的有力预测因子。
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