已发现比例常数因不同技术而异，相差100倍，这为未来通过电介质/界面技术的改进提供了显着提高可靠性的希望。一个简单的物理模型可以将沟道场Em与所有器件参数和偏置电压相关联。描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途。”
因为胡正明构建的数学模型很简单，简单的描绘了MOSFET退化的本质。
越是简单的模型，越难进行优化。
但是这封邮件，为胡正明提供了一个新的角度来对这个问题进行思考。
优化后的数学模型，能够解释更多的现象，从而对热电子缩放的现象进行更好的监控。
为了看这封邮件，胡正明完全忘了还有咖啡这回事。
他看完核心部分后，再回过头去看了眼是谁发给他的邮件，zhouxin@，来自燕大的邮件。
“周新？我没听过燕大半导体领域有这么一号人物啊？而且按理来说不应该发论文吗？”胡正明内心很是纳闷。
能够做出这种级别创新的一般来说，不会是什么无名之辈。
胡正明又看了下邮件的最后部分，邮件最后部分表达了希望来他手下读博。
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