甚至在一些语气词里都和他一样。
周新在阿美利肯期间，主要沟通对象之一就是胡正明，口语主要就是在阿美利肯那几年突飞猛进的。
口语表达上二人当然会有相似之处。
周新在电话那头笑了笑：“好。”
“MOSFET模型可以将Em与所有器件参数和偏置电压相关联，描述了它在解释和指导热电子缩放中的用途，你是如何想到通过电路仿真的预测性来对MOSFET进行互连建模？”
跨越数千公里的电话线，两头不仅仅是地理上的距离，更是时间上的距离。
周新发给胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的论文，发表在2000年的IEEE集成电路会议论文集上，在胡正明超过九百篇论文里被引用次数排名第八。
虽然排名不是很高，但是却起到了承上启下的作用。
胡正明最大的贡献是，将半导体的2D结构，研发优化出了3D结构，也就是Fi。
从1960年到2010年左右，基本的平面(2D)MOSFET结构一直保持不变，直到进一步增加晶体管密度和降低器件功耗变得不可能。
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